Der High Power Messplatz wurde speziell für die Herausforderungen von z.B. GaN Leistungshalbleiter entwickelt. Hierbei Stand die ATV vor zwei besonderen Herausforderungen:

1. Das sichere Handling von hohen Strömen und Spannungen bei der Kontaktierung auf dem DUT bei minimierter Kabellänge.
2. Das Messen des Durchgangswiederstandes „RDSon“ während des Schaltverhaltens des High Power Transistors und damit das Sichtbarmachen von Current Collaps Effekten.

Ein typischer Messaufbau ist hier nicht zielführend, da das Schalten von hohen Spannungen zu hohen Strömen durch ein Standartmessgerät nicht realisierbar ist. Der Einsatz des, von der ATV entwickelten, HVC Switches erlaubt ein gleichzeitiges Beschalten einer Hochspannungs- sowie einer Hochstrom-SMU zu einem Device. Er ermöglicht den automatisieren Wafer-Test ohne manuelles Umstecken. Durch optionale Integration von speziellen HV Bias-T’s können hier ebenfalls die Standardparameter für die CV Charakterisierung Ciss, Coss und Crss automatisiert erfasst werden.

Für den sogenannten High Dynamic RDSon Test wurde andrerseits eine aktive Probe Card entwickelt, die einen sehr kurzen Abstand von Quelle zum DUT on Wafer ermöglicht. Hierdurch wurde die Problematik der störenden Induktivität reduziert. Durch eine optimierte Schaltung werden die beteiligten Komponenten vor der hohen Spannung geschützt und eine Messung des RDSon Verlaufs, mit einer Zeitauflösung im µsec Bereich, ermöglicht. Alle Lösungen wurden in einen MPI TS2000-HP High Power Prober, zusammen mit einem Sicherheitskonzept für den kompletten Prüfstand umgesetzt. Hierbei kam ebenfalls die ATV Measmatic SW zur flexiblen Automatisierung aller Tests zum Einsatz.