PIV 1002 - MOSFET Designer-Tool

Laborsystem zur Charakterisierung von Hochspannungs-MOSFETs

Überstrombegrenzung (Messsondenschutz)
Bulkstrommessung
Zuverlässigkeitstest (HCI)
ICCAP Treiber

Maximale Drainspannung: 1100 V
Maximale Drainstromstärke: 1 A
Pulsbreiten: 250 ns - 5 ms
2-4 Anschlüsse
P- und N-MOSFET, sowie Depletion MOSFET, 2-poligen Bauelementen (Diode/ Widerstand)

PIV1002 ist ein Laborsystem zur Charakterisierung von Hochspannungs-MOSFETs. Dabei werden die MOSFETs einer gepulsten Messung unterzogen, was ein isothermales Verhalten ermöglicht. Somit können Bauelemente auch auf Wafer Level in hohen Leistungsbereichen charakterisiert werden.

Durch die Einstellmöglichkeit des Duty Cycles während der Messung kann vom isothermalen Verhalten bis hin zu thermischen Effekten das Bauelement charakterisiert werden. Es können Ausgangs- und Transferkennlinie gemessen werden. Das PIV1002 stellt programmierbare Stresszyklen bereit, welche Zuverlässigkeitsuntersuchungen an 2- und 3-poligen Bauelementen erlauben; z.B. gepulste Hot Carrier Messungen (HCI) an MOSFETs. Das System ist auch durch IC-CAP remote steuerbar.

Die Kontrolle des Messsystems erfolgt über eine benutzerfreundliche Steuersoftware am PC. Das PIV1002 verfügt über drei verschiedene Betriebsmodi:

Die Pulsbreite ist konstant. In der äußeren Messschleife wird die Gate-Spannung verändert. In der inneren Messschleife wird die Drain-Source-Spannung verändert. Damit lassen sich Kennlinienfelder bei kleinsten Pulsbreiten und kleinsten thermischen Belastungen generieren.
Die Gate-Spannung ist konstant. In der äußeren Messschleife wird die Pulsbreite verändert. In der inneren Messschleife wird die Drain-Spannung verändert. Damit können Untersuchungen des thermischen Driftverhaltens des Bauelements durchgeführt werden.
Cycle Mode für Reliability Untersuchungen

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